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深圳市宝星微科技有限公司

主营产品 : MICROCHIP | SST | ISSI | LYONTEK | WINBOND | MXIC | FLASH | 存储IC | 单片机MCU | 驱动IC

SST39VF512-70-4C-NHE

Datasheet
存储IC
现货SST
PLCC
1113+
深圳
15000
发布日期
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深圳市宝星微科技有限公司
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  • 会员年限: 会员23
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    福田区华强北街道华强广场A座20F-20G
产品属性
品牌 现货SST 批号 1113+
封装 PLCC 仓库 深圳
交易说明:
  • 存储实力 用原装说话
产品详情        产品说明书
  • <span{atSST39VF512-70-4C-NHE产品描述

    SST39VF512是采用SST专有的高性能 CMOS SuperFlash? 技术制造的64Kx8 CMOS多用途闪存(Multi-Purpose Flash,MPF)器件。与其他方法相比,分离栅极单元设计 (split-gate cell design和厚氧化层隧穿注入器(thick-oxide tunneling injector)可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF512器件使用 2.7-3.6V 电源进行写操作。这些器件遵从 x8 存储器的JEDEC标准引脚排列。 SST39VF512 器件具有高性能的字节编程能力,其最大字节编程时间为 20 μs。这些器件使用翻转位或数据 # 查询来指示编程操作是否完成。为了防止意外写操作,这些器件提供了片上硬件和软件数据保护方案。这些器件针对一系列广泛应用进行设计、制造和测试,典型可擦写次数可确保达到 100,000 次。数据额定保存时间则大于 100 年。SST39VF512器件适用于需要方便且经济地更新程序、配置或数据存 储器的应用。对于所有系统应用,它们都可以显著提高性能和可靠性,同时降{attr}1015{/attr}。相较于其他闪存技术,它们本质上在擦除和编程期间消耗的能量更低。消耗的总能量是应用中施加电压、电流和时间的 函数。对于任何给定的电压范围,SuperFlash 技术的编程电流更低、擦除时间更短;因此在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。在降低程序、数据和配置存储应用成本的同时,这些 器件还可以提高灵活性。 SuperFlash 技术支持固定的擦除和编程时间,时间与所发生的擦除/编程周期数无关。因此,系统软件 或硬件不需要进行修改或降额,这一点不同于其他一些擦除和编程时间会随擦除/编程周期数累积而增加 的闪存技术。 为了满足表面贴装的要求SST39VF512器件提供了PLCC32 引脚和TSOP32 引脚封装。

    SST39VF512-70-4C-NHE规格书下载

    SST39VF512-70-4C-NHE实物图

    SST39VF512-70-4C-NHE实物图


    SST39VF512-70-4C-NHE型号讲解

    SST39VF512-70-4C-NHE型号命名规则说明

    SST标识SST(MICROCHIP)品牌LOGO

    39标识MPF(Multi-Purpose Flash)-39系列产品

    VF代表工作电压2.7-3.6V

    512代表储存容量512K

    70代表时钟频率70NS

    4代表芯片可以擦写10000次数

    C代表产品耐温度级别0°C to +70°C),I代表-40°C to +85°C

    NH代表PLCC32

    E代表环保无铅

    包装规格

    SST39VF512-70-4C-NHE的包装规格为:

    包装类型:管装

    每管30pcs;

    每包装30pcs*50;共1500pcs;

    每整包装4内盒,共6000pcs。

    SST39VF512-70-4C-NHE标签


    SST39VF512-70-4C-NHE器件 ID

    With AMS-A1 = 0; SST Manufacturer’s ID = BFH, is read with A0 = 0,

    SST39LF/VF512 Device ID = D4H, is read with A0 = 1,

    SST39LF/VF010 Device ID = D5H, is read with A0 = 1,

    SST39LF/VF020 Device ID = D6H, is read with A0 = 1,

    SST39LF/VF040 Device ID = D7H, is read with A0 = 1.

    SST39VF512-70-4C-NHE器件 ID


    SST39VF512-70-4C-NHE引脚分配:

    SST39VF512-70-4C-NHE引脚分配


    SST39VF512-70-4C-NHE基本参数:

    ? 按 128K x8/256K x8/512K x8 的形式组织

    ? 单电压读写操作

    – SST39LF010/020/040 为 3.0-3.6V

    – SST39VF010/020/040 为 2.7-3.6V

    ? 超高可靠性

    – 可擦写次数:100,000 次 (典型值) – 数据保存时间大于 100 年

    低功耗

    (14 MHz 时的典型值)

    – 工作电流:5 mA (典型值) – 待机电流:1 μA (典型值)

    扇区擦除功能

    – 均一 4 KB 扇区

    ? 快速读取访问时间:

    – SST39LF010/020/040 为 45 ns

    – SST39LF020/040 为 55 ns

    – SST39VF010/020/040 为 70 ns

    ? 锁存地址和数据

    ? 快速擦除和字节编程:

    – 扇区擦除时间:18 ms (典型值) – 全片擦除时间:70 ms (典型值)

    – 字节编程时间:14 μs (典型值)

    – 全片重写时间:

     SST39LF/VF010 为 2 秒 (典型值)

     SST39LF/VF020 为 4 秒 (典型值)

     SST39LF/VF040 为 8 秒 (典型值)

    ? 自动写时序

    – 内部 VPP 生成

    ? 写操作结束检测

    – 翻转位

    – 数据 # 查询

    ? CMOS I/O 兼容性

    ? JEDEC 标准

    – 闪存 EEPROM 引脚排列和命令集

    ? 可用封装

    – 32 引脚 PLCC

    – 32 引脚 TSOP (8 mm x 14 mm)

    – 48 球 TFBGA (6 mm x 8 mm)

    – 34 球 WFBGA (4 mm x 6 mm)(适用于 1M 和 2M)

    ? 所有器件均符合 RoHS 标准

    SST39VF512-70-4C-NHE功能框图

    SST39VF512-70-4C-NHE功能框图


    质 量 保 证

    SST(MICROCHIP)品牌专业供应商,产品保证全新原厂原装,可追溯,可技术支援。

    若有任何质量问题,在产品未上机的前提下,一个月内接受退换货(已上机无法确认原来质量,如需测试,请抽用少量样品)

    若是由于客户方自身原因采购失误,恕不做退换(请务必确认实际需求的型号完全一致)

    价 格 说 明

    本产品价格视数重而定,零售价格以分段标价为难(必要时可少量调整),如需批量采购,欢迎来电咨询洽谈!

    本产品价格不含运费,但若您采购的产品总金额达 RMB3,000元 以上,运费可另行协商

    零售价格较高,主要原因如下,敬请谅解:

    1. 保证全新原装正品

    2.宝星微更专注于批量及小批量供货,批量采购将享受更为优惠的价格。

    3.作为品牌专业供应商,宝星微严格坚持制度化的服务流程,使您的采购更轻松、更安心:

    【销售部:售前服务、处理订单、达成交易】→【仓管部:产品出库】→【财务部:开具票据】→【发货部:核对产品、包装、发快递】

    4.为确保产品安全地送到您手上,产品将由宝星微发货部专业精心包装.


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