深圳市宝星微科技有限公司

宝星微科技专业代理ISSI全系列高速低功耗SRAM和低、中密度DRAM存储器,深圳有现货,交期快,原厂原装货,可提供技术支持IS61LV25616AL-10TL主要应用：汽车电子，通信网络，数码消费类电子产品，工业和医疗设备等等,IS61LV25616AL-10TL是一款4M(256*16)高速低功耗SRAM,TSOP44封装，工作电压3.3V，耐高温度85℃，耐低温度-40℃，储存容量4M(256*16),标准包装1350，标准托盘135，最新2020年现货供应，需了解更多资料请联系在线客服。

,IS61LV25616AL-10TL简介

The ISSI IS61LV25616AL is a high-speed, 4,194,304-bit static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technol-ogy. This highly reliable process coupled with innovative 
circuit design techniques, yields high-performance and low power consumption devices.When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels.
Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW Write Enable (WE) controls both writing and reading of the memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower 
Byte (LB) access.The IS61LV25616AL is packaged in the JEDEC standard 44-pin 400-mil SOJ, 44-pin TSOP Type II, 44-pin LQFP and 48-pin Mini BGA (8mm x 10mm).

,IS61LV25616AL-10TL参数

? High-speed access time: 

— 10, 12 ns 
? CMOS low power operation
? Low stand-by power: 
— Less than 5 mA (typ.) CMOS stand-by
? TTL compatible interface levels
? Single 3.3V power supply
? Fully static operation: no clock or refresh 
required
? Three state outputs
? Data control for upper and lower bytes
? Industrial temperature available
? Lead-free available

IS61LV25616AL-10TL高清图，细节图，原装现货供应.

IS61LV25616AL-10TL标准包装1350PCS实物供应2020年

IS61LV25616AL-10TL标准托盘1350PCS实物供应2020年

IS61LV25616AL-10TL大量现货实物供应

IS61LV25616AL-10TL是ISSI公司的SRAM芯片,它的存储容量为16*256K,并具有高低选择信号. 

特点如下:

1.高速访问时间8,10,12,15ns

2.CMOS低功郝操作

3.TTL兼容的接口电平

4.单电源3.3V供电

5.无时钟无刷新需求

6.三态输出

7.数据控制分为高,低字节

内部框图如下:

封装管脚定义如下:

管脚定义如下:

IS61LV25616的控制信号的真值表如下:

IS61LV25616时序图分析:

读时序(第一种条件)

   上面时序图是一种简单的地址控制法.地址控制的条件是,片选(CE#),读操作(OE#),高字节(UB#),低字节(LB#)有效.上面时序图反映改变地址,延时一段时间,可以取道有效数据.

第二中读操作的时序(与第一种相比,多一些控制信号)

 IS61LV25616写时序

 上面时序分析显示,SRAM不需要时钟信号参与控制,同时可以按字节高低顺序操作!根据上面时序,可以设计基于VHDL 的SRAM 读写控制!