| 品牌 | MICROCHIP/微芯 | 批号 | 2020+ |
| 封装 | 仓库 |
- 64Kx8 4KB sector 33MHZ 2.7-3.6V
SST25VF512A-33-4C-SAE串行Flash是用串行接口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗的flash memory。串行flash使用比并行flash更少的连线在一个系统中传送数据。对于引脚数目少的串行flash来讲它的优势是减少了系统板的空间、功耗和成本。对于容量在512Kbit到16Mbit的25/26系列串行flash来讲，它具有SPI接口和与工业标准的SPI串行EEPROM器件引脚对引脚硬件兼容的特点.
SST25VF512A-33-4C-SAE产品特点: 操作电压：2.7-3.6V或者3.0-3.6V读和写操作 SST25VF512A-33-4C-SAE有4线串行接口结构，具有wrap-around特点的连续字节读操作 SST25VF512A-33-4C-SAE低功耗 : 7mA(典型)，待机：8uA(典型) ， 灵活的擦除能力 : 4KByte统一Sector-Erase，32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力 SST25VF512A-33-4C-SAE快速擦除时间：Sector-Erase或者Block-Erase:：18ms(典型) 字节编程：14us(典型) ，最大操作时钟频率可达50MHz ，对于快速计算有自动地址累加(AAI)编程，通过WP#引脚可实现硬件写保护。
SST25VF512A-33-4C-SAE型号编号命名规则
SST25VF512A-33-4C-SAE型号封装体积区分
SST25VF512A-33-4C-SAE更多产品推荐
型号（Device）
容量（Density）
电压（Voltage）
时钟速度（MHz）
封装（Packages）
SST25VF512A
512Kb(64Kx8)
2.7-3.6V
33
SOIC-8,WSON-8
SST25VF010A
1Mb(128Kx8)
2.7-3.6V
33
SOIC-8,WSON-8
SST25VF020B
2Mb(256Kx8)
2.7-3.6V
80
SOIC-8,WSON-8
SST25VF040B
4Mb(512Kx8)
2.7-3.6V
50
SOIC-8,WSON-8
SST25VF080B
8Mb(1Mx8)
2.7-3.6V
50
SOIC-8,WSON-8
SST26VF016B
16Mb(2Mx8)
2.7-3.6V
104
SOIC-8,WSON-8
SST26VF032B
32Mb(4Mx8)
2.7-3.6V
104
SOIC-8,WSON-8
64Mb(8Mx8)
2.7-3.6V
104
SOIC-8,WSON-8
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